В России создадут революционную память – гибрид ОЗУ, флешки и винчестера - hard новости - eMule-Rus.Net Форум муловодов

Перейти к содержимому



В России создадут революционную память – гибрид ОЗУ, флешки и винчестера


  • Вы не можете ответить в тему
  • Вы не можете создать новую тему
Сообщений в теме: 2

#1 ONLINE   Ramerup

 

    сова упоротая..

  • [Хранители]
  • сообщений: 20 062
    Последний визит:
    Сегодня, 09:33
  • Пол:Мужчина
  • Откуда:Санкт-Петербург
 

Отправлено 09 Апрель 2016 - 02:33

Изображение

Hi-Tech.Mail.Ru, Источник: МФТИ
08 апреля 2016 13:11


Революционную технологию создания памяти разработали ученые Московского физико-технического института (МФТИ). Специалисты утверждают, что она будет обладать вместительностью винчестера, энергонезависимостью флешки и быстротой работы оперативной памяти, сообщает пресс-служба института


Сегнетоэлектрики и туннельные переходы

Сегнетоэлектрики – вещества, которые способны сохранять направление внешнего электрического поля, которое к ним прикладывается. Электрический ток сегнетоэлектрики не проводят.

Туннельный эффект имеет квантовую природу и предполагает, что при очень малой толщине слоя сегнетоэлектрика электроны с определенной вероятностью могут проходить сквозь него. Если на электроды, которые примыкают к тонкому слою сегнетоэлектрика, подать напряжение, то можно записать данные в память. Считывание же выполняется путем измерения туннельного тока.

Нанотехнологии в действии

В основе памяти нового типа – сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния. Он использовался в создании микросхем и ранее, но сегнетоэлектрические свойства одной из модификаций материала были открыты всего несколько лет назад.

Толщина туннельно-прозрачных пленок – всего 2,5 нм. Выращены они были на кремниевой подложке с применением методики, которая используется в производстве микропроцессоров, при поддержке специалистов из Университета Лозанны (Швейцария) и Университета Небраски (США).

Ведущий автор исследования, заведующий лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ Андрей Зенкевич заявляет, что структуры на основе оксида гафния совместимы с кремниевой технологией. Это означает, что новая энергонезависимая память на базе российской разработки будет создана в ближайшем будущем.

Изображение

Преимущества новой памяти

Разработчики подчеркивают, что память на основе сегнетоэлектрических туннельных переходов будет обладать крайне высокой скоростью чтения и записи, большой плотностью хранения информации и сниженным энергопотреблением. Фактически она сможет заменить используемую сегодня оперативную память, в которой данные без перезаписи могут храниться не более 0,1 с, при этом информация сможет храниться сколь угодно долго.

#2 OFFLINE   mailstream

 

    вакуумсферошушпанцер

  • Модераторы
  • сообщений: 1 330
    Последний визит:
    18 окт 2020 22:28
  • Пол:Мужчина
 

Отправлено 09 Апрель 2016 - 02:58

чую что хрень, но доказать не могу.

#3 ONLINE   Ramerup

 

    сова упоротая..

  • [Хранители]
  • сообщений: 20 062
    Последний визит:
    Сегодня, 09:33
  • Пол:Мужчина
  • Откуда:Санкт-Петербург
 

Отправлено 09 Апрель 2016 - 03:04

я сам три раза прочитал, толком ничего не понял, сделают, посмотрим, что это даёт и цену вопроса - тогда и поаплодируем, если что..





Количество пользователей, читающих эту тему: 0

0 пользователей, 0 гостей, 0 анонимных